TI แอมพลิฟายเออร์ชิป IC TDA2030 รูผ่านรู TLV314QDBVRQ1 8542.33.0001

คุณสมบัติสำหรับ TLV314-Q1

• ผ่านการรับรองสำหรับการใช้งานด้านยานยนต์
• AEC-Q100 มีคุณสมบัติตามผลลัพธ์ต่อไปนี้:
  • อุณหภูมิอุปกรณ์ ระดับ 1: –40°C ถึง +125°C ช่วงอุณหภูมิแวดล้อมในการทำงาน
  • การจัดประเภทอุปกรณ์ HBM ESD ระดับ 3A
  • อุปกรณ์ CDM ESD การจำแนกระดับ C6
• แรงดันออฟเซ็ตต่ำ: 0.75 mV (ทั่วไป)
• กระแสอคติอินพุตต่ำ: 1 pA (ทั่วไป)
• ช่วงการจ่ายกว้าง: 1.8 V ถึง 5.5 V
• อินพุตและเอาต์พุตแบบรางต่อราง
• รับแบนด์วิดท์: 3 MHz
• ฉันต่ำคิว: 250 µA/Ch (สูงสุด)
• เสียงรบกวนต่ำ: 16 nV/√Hzที่ 1 kHz
• ตัวกรอง RF และ EMI ภายใน
• จำนวนช่อง:
  • TLV314-Q1: 1
  • TLV2314-Q1: 2
  • TLV4314-Q1: 4
• ช่วงอุณหภูมิขยาย:
  –40°C ถึง +125°C

คำอธิบายสำหรับ TLV314-Q1

ตระกูล TLVx314-Q1 ของแอมพลิฟายเออร์สำหรับการทำงานแบบ single-, dual- และ quad-channel เป็นตัวแทนของแอมพลิฟายเออร์ในการดำเนินงานทั่วไปที่ใช้พลังงานต่ำRail-to-railinput และ output swings (RRIO) กระแสไฟนิ่งต่ำ (150 µA โดยทั่วไปที่ 5 V) รวมกับแบนด์วิดท์กว้าง 3 MHz เพื่อให้ตระกูลนี้น่าสนใจมากสำหรับแอพพลิเคชั่นที่ใช้พลังงานจากแบตเตอรี่ที่หลากหลายซึ่งต้องการความสมดุลที่ดีระหว่างต้นทุน และประสิทธิภาพตระกูล TLVx314-Q1 ให้กระแสอคติอินพุตต่ำที่ 1 pA ทำให้เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมสำหรับเซ็นเซอร์อิมพีแดนซ์สูง

การออกแบบที่แข็งแกร่งของอุปกรณ์ TLVx314-Q1 ช่วยให้ผู้ออกแบบวงจรใช้งานง่ายขึ้น: เสถียรภาพที่ได้รับความสามัคคี, RRIO, โหลด capacitive สูงถึง 300-pF, ตัวกรองการปฏิเสธ RF และ EMI ในตัว, ไม่มีการย้อนกลับเฟสในสภาวะโอเวอร์ไดรฟ์, และการป้องกันไฟฟ้าสถิตสูง (ESD) (4-kV HBM)

อุปกรณ์เหล่านี้ได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับการใช้งานแรงดันไฟต่ำที่ต่ำถึง 1.8 V (±0.9 V) และสูงถึง 5.5 V (±2.75 V) และมีการระบุในช่วงอุณหภูมิอุตสาหกรรมที่ขยายออกไปที่ –40°C ถึง +125°C .

TLV314-Q1 (เดี่ยว) มีจำหน่ายทั้งแบบ 5 พิน SC70 และ SOT-23TheTLV2314-Q1 (dual) มีให้ในแพ็คเกจ SOIC และ VSSOP 8 พินTLV4314-Q1 แบบสี่ช่องสัญญาณมีให้ในแพ็คเกจ TSSOP 14 พิน