บริการที่ดีที่สุด ชิปที่ดีที่สุด
การจัดซื้อส่วนประกอบแบบครบวงจรที่ใหญ่ที่สุดของจีน
| ชื่อแบรนด์: | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
|---|---|
| หมายเลขรุ่น: | IRF1404ZPBF |
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 1 ชิ้น |
| เวลาการส่งมอบ: | 2~8 วันทำการ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | ที/ที |
| ยี่ห้อ: | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | ใบรับรอง: | / |
|---|---|---|---|
| แบบ: | IRF1404ZPBF | ขั้นต่ำ: | 1 ชิ้น |
| ราคา: | Negotiated | จัดส่ง: | 2~8 วันทำการ |
| การชำระเงิน: | ที/ที | ||
| แสงสูง: | ทรานซิสเตอร์ช่อง N 200W,ทรานซิสเตอร์ช่อง N 180A,IRF1404ZPBF |
||
รายละเอียดสินค้า
IRF1404ZPBF ทรานซิสเตอร์ N-Channel 180A 200W ทะลุผ่านรู TO-220AB HEXFET FETs MOSFET
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) ผ่านรู TO-220AB
หมวดหมู่ | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน |
ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - Single | |
Mfr | Infineon Technologies |
ชุด | HEXFET® |
บรรจุุภัณฑ์ | หลอด |
ประเภท FET | N-ช่อง |
เทคโนโลยี | MOSFET (เมทัลออกไซด์) |
ระบายไปยังแรงดันต้นทาง (Vdss) | 40 V |
ปัจจุบัน - การระบายน้ำอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | 180A (ทีซี) |
แรงดันไฟ (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 75A, 10V |
Vgs(th) (สูงสุด) @ ID | 4V @ 250µA |
ค่าบริการประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 4340 pF @ 25 V |
คุณสมบัติ FET | - |
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด) | 200W (ทีซี) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55 องศาเซลเซียส ~ 175 องศาเซลเซียส (ทีเจ) |
ประเภทการติดตั้ง | ผ่านรู |
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | TO-220AB |
แพ็คเกจ / เคส | TO-220-3 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์หลัก | IRF1404 |
คำอธิบาย
HEXFET® Power MOSFET นี้ใช้เทคนิคการประมวลผลล่าสุดเพื่อให้ได้ค่าความต้านทานต่อพื้นที่ซิลิกอนที่ต่ำมาก
คุณสมบัติเพิ่มเติมของผลิตภัณฑ์นี้คืออุณหภูมิในการทำงานของจุดเชื่อมต่อ 175°C ความเร็วในการเปลี่ยนที่รวดเร็ว และอัตราการเกิดหิมะถล่มซ้ำๆ ที่ได้รับการปรับปรุงคุณสมบัติเหล่านี้รวมกันเพื่อทำให้การออกแบบนี้เป็นอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้อย่างยิ่งสำหรับการใช้งานในหลากหลายรูปแบบ
