MDIO SMbus BOM ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ I2C ชิป IC 8 บิต TXS0108ENMER Texas Instruments

คุณสมบัติสำหรับ TXS0108E

• ไม่จำเป็นต้องมีสัญญาณควบคุมทิศทาง
• อัตราข้อมูลสูงสุด
  • 110 Mbps (กดดึง)
  • 1.2 Mbps (ท่อระบายน้ำเปิด)
• 1.4 V ถึง 3.6 V บนพอร์ต A และ 1.65 V ถึง 5.5 V บนพอร์ต B (VCCA ≤ VCCB)
• ไม่จำเป็นต้องมีการจัดลำดับแหล่งจ่ายไฟ – สามารถเพิ่ม VCCA หรือ VCCB ก่อนได้
• ประสิทธิภาพการสลักเกิน 100 mA ต่อ
  JESD 78 ชั้นII
• การป้องกัน ESD เกิน JESD 22 (พอร์ต A)
  • โมเดลร่างกายมนุษย์ 2000-V (A114-B)
  • รุ่นเครื่อง 150-V (A115-A)
  • รุ่นอุปกรณ์ชาร์จ 1000-V (C101)
• IEC 61000-4-2 ESD (พอร์ต B)
  • ±8 kV หน้าสัมผัสการคายประจุ
  • ±6 kV การคายประจุช่องว่างอากาศ

คำอธิบายสำหรับ TXS0108E

อุปกรณ์นี้เป็นเครื่องแปลระดับ 8 บิตที่ไม่กลับด้านซึ่งใช้รางจ่ายไฟที่กำหนดค่าแยกกันได้สองรางพอร์ต A ติดตามแรงดันไฟฟ้าขา VCCAพิน VCCA ยอมรับแรงดันไฟฟ้าใดๆ ระหว่าง 1.4 V ถึง 3.6 V พอร์ต B ติดตามแรงดันไฟฟ้าของพิน VCCBพิน VCCB ยอมรับแรงดันไฟฟ้าใดๆ ที่จ่ายระหว่าง 1.65 V ถึง 5.5 V พินอุปทานอินพุตสองพินช่วยให้สามารถแปลแบบสองทิศทางด้วยแรงดันไฟต่ำระหว่างโหนดแรงดันไฟฟ้า 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V และ 5 V ใดๆ

เมื่ออินพุตที่เปิดใช้งานเอาต์พุต (OE) ต่ำ เอาต์พุตทั้งหมดจะถูกวางไว้ในสถานะอิมพีแดนซ์สูง (Hi-Z)

เพื่อให้แน่ใจว่าสถานะ Hi-Z ระหว่างการเปิดเครื่องหรือปิดเครื่อง ให้ผูก OE กับ GND ผ่านตัวต้านทานแบบดึงลงค่าต่ำสุดของตัวต้านทานถูกกำหนดโดยความสามารถในการจัดหาในปัจจุบันของไดรเวอร์